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LV25-P压力传感器
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2020-05-02 |
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DSEI12-10A原装库存，优势热卖
品牌：IXYS/艾赛斯型号：DSEI12-10A规格二极管类型标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）1000V电流 - 平均整流（Io）12A不同 If 时的电压 - 正向（Vf2.7V @ 12A速度快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）60ns不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流250µA @ 1000V不同 Vr，F 时的电容-安装类型通孔封装/外壳TO-220-2供应商器件
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2019-12-03 |
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DSEI12-06A原装库存，现货热卖
品牌：IXYS/艾赛斯型号：DSEI12-06A规格二极管配置1 对共阴极二极管类型标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）600V电流 - 平均整流（Io）（每二极管）15A不同 If 时的电压 - 正向（Vf2.03V @ 15A速度快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）35ns不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100µA @ 600V工作温度 - 结-55°C ~ 175°C
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2019-05-30 |
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C3D20060D
品牌：其他型号：C3D20060D规格二极管配置1 对共阴极二极管类型碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）600V电流 - 平均整流（Io）（每二极管）10A不同 If 时的电压 - 正向（Vf1.8V @ 10A速度无恢复时间500mA（Io）反向恢复时间（trr）0ns不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流50µA @ 600V工作温度 - 结-55°C ~ 175°C安装
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2019-05-21 |
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C3D25170H原装库存，优势热卖
品牌：其他型号：C3D25170H规格二极管配置1 对共阴极二极管类型碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）600V电流 - 平均整流（Io）（每二极管）10A不同 If 时的电压 - 正向（Vf1.8V @ 10A速度无恢复时间500mA（Io）反向恢复时间（trr）0ns不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流50µA @ 600V工作温度 - 结-55°C ~ 175°C安装
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2019-05-16 |
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CLA50E1200HB原装库存，优势热卖
品牌：IXYS/艾赛斯型号：CLA50E1200HB规格二极管类型标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）600V电流 - 平均整流（Io）37A不同 If 时的电压 - 正向（Vf1.6V @ 37A速度快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）50ns不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100µA @ 600V不同 Vr，F 时的电容-安装类型通孔封装/外壳TO-247-2供应商器件
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2019-04-02 |
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DSEI2X61-12B-ND原装库存，优势热卖
品牌：IXYS/艾赛斯型号：DSEI2X61-12B规格二极管配置2 个独立式二极管类型标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）1200V电流 - 平均整流（Io）（每二极管）52A不同 If 时的电压 - 正向（Vf2.5V @ 60A速度快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）60ns不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流2.2mA @ 1200V安装类型底座安装封装/外壳SO
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2019-03-20 |
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C2M0160120D原装库存，优势热卖
品牌：其他型号：C2M0160120D规格FET 类型N 沟道技术SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）1200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）20V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）196 毫欧 @ 10A，20V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 500µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大
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2019-03-10 |
新闻中心